模擬MEMS厚膠物理光刻工藝，采用物理仿真算法與物理模型精細反應SU8等厚膠光刻效果。 ◆ 支持影像成型、曝光、后烘、顯影四大步驟模擬; ◆ 精細的曝光前后光照模型; ◆ 支持多層mask文件版圖設置; ◆ 支持三維顯示結果精細測量。

精準的三維工藝物理模擬工具。 ◆ 模擬工藝流程生成的器件的三維模型,動畫形式顯示工藝過程； ◆ 支持絕大多數MEMS工藝仿真，包括：各向同性/異性淀積，各向同性/異性刻蝕，濕法刻蝕，鍵合，光刻以及CMOS工藝中的氧化/注入等； ◆ 高精度模式和快速模式兩種仿真模式可選； ◆ Si DRIE和濕法各向異性刻蝕算法源自成熟的單工藝仿真算法模塊，歷經豐富的實踐驗證； ◆ 支持III-V族半導體(InP)等多種化合物半導體物理仿真工藝. ◆ 支持spray準各向同性濕法刻蝕工藝 ◆ 基于GPU大規模并行計算 ◆ 采用體素繪制技術，支持旋轉、平移、縮放、剖面等功能 ◆ 支持按工藝分層顯示，方便觀察器件內部結構信息； ◆ 支持PPT、AVI、JPG等多種格式輸出。

基于三維體素操作的強大的工藝演示工具。 ◆ 動畫形式顯示工藝過程； ◆ 模擬任意工藝步驟后器件的三維模型； ◆ 支持絕大多數 MEMS 工藝仿真，包括：各向同性/異性淀積，各向同性/異性刻蝕，濕法刻蝕，鍵合，光刻以及 CMOS 工藝中的氧化/注入等； ◆ 采用體素圖形學技術，更加逼真的演示三維復雜器件結構； ◆ 采用體繪技術，通過旋轉、平移、縮放、剖面等功能用戶可以查看器件內部信息； ◆ 利用幾何算法更加逼真模擬淀積和刻蝕過程；

先進的、基于自動控制的單元蝕刻仿真技術能夠得到精確的<100>、<110>單晶硅晶片KOH和 TMAH 各向異性蝕刻仿真結果，還可用于復雜版圖及長時間蝕刻。 ◆ 晶片的頂部、底部和雙面蝕刻； ◆ 多重截止層和單一晶片上不同掩模的多次蝕刻； ◆ 體現未對齊掩模的影響,及補償技術； ◆ 預測蝕刻劑溫度、濃度及蝕刻時間對器件外形的影響； ◆ TMAH 和 KOH 蝕刻速率數據庫，用戶也可自定義蝕刻速率； ◆ 測定耦合各向異性蝕刻情況下垂直蝕刻的影響； ◆ 三維圖形和橫截面可視； ◆ 測量蝕刻后晶片任意兩點間的距離和角度；

◆ 基于原子模型的精確濕法刻蝕工藝模擬； ◆ 集成 DRIE 和多次掩膜復合工藝功能； ◆ 基于八叉樹和并行計算的元胞自動機及動力學蒙特卡羅模型； ◆ 完備的刻蝕工藝數據庫，面向用戶的開放的接口； ◆ 可定義和切割任意高指數晶面； ◆ 精確描述腐蝕表面形貌； ◆ 兼容 IntelliMask 版圖文件和 Bmp 掩膜文件； ◆ 輸出 FEM 網格數據； ◆ 基于 GPU 大規模并行計算的 IntelliEtchG； ◆ Wagon Wheel Analyzer 硅刻蝕速率提取工具； ◆ Etch Rate Visualizer / CCA calibrator 硅刻蝕速率可視化及校準工具； ◆ Wagon Wheel Analyzer II 石英刻蝕速率提取工具；

結合材料、版圖創建器件的工藝流程，并可輸出到FabSim模塊生成三維虛擬模型，輸出到TEM模塊進行分析。 ◆ 完整的MEMS工藝流程，包括沉積、光刻、刻蝕、鍵合、電鍍等工藝。用戶可添加自有工藝； ◆ 支持標準MEMS工藝，如MUMPS, SCREAM, SUMMIT, LIGA, Bosch Surface Micromachining等。 ◆ 用戶可創建自有工藝； ◆ 圖形化的硅和石英等材料的各向異性濕法刻蝕速率展示與調節工具 ◆ 支持SOI材料，支持電阻率與方塊電阻參數同步; ◆ 支持輸出Excel格式工藝流程單 ◆ 結合FabSim模擬工藝流程生成的器件的三維模型； ◆ 結合TEM分析對器件的影響，實現更精確的多物理場模擬；

當前最全面的薄膜材料數據庫和工藝優化工具，提供工藝參數和器件特性間的重要聯系。 ◆ 包含多達70余種、基于真實工藝過程得到的 MEMS 常用薄膜材料屬性，使模擬結果更加精確； ◆ 允許用戶添加和自定義材料； ◆ 通過 IntelliFab 模塊直接將材料屬性輸出到 TEM 分析模塊； ◆ 優化工藝；

模擬 RIE/ICP(Bosch Process) 工藝，清晰反映加工工藝如何影響產品成型。 ◆ 可調節側邊的圓齒、粗糙度及周期； ◆ RIE 和 DRIE 的 lag 效應； ◆ 模擬最終實體形貌、側面角度； ◆ 考慮掩膜影響； ◆ 為特定截面創建工藝參數可調整的結構； ◆ 支持 Footing 效應模擬； ◆ 支持工藝參數計算； ◆ DRIE 刻蝕速率及深寬比校準工具；